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V ion implantation followed by thermal annealing楢本 洋; 青木 康; 山本 春也; 鳴海 一雅
Mater. Sci. Eng., A, 253(1-2), p.114 - 120, 1998/00
結晶性の酸化アルミニウムであるサファイアに遷移金属をイオン注入した時に生ずる照射欠陥の生成と注入元素との相関について、深さ依存性の測定結果に基づいて討論する。更にこれらの微細構造変化に対応する物理的/化学的性質の例についても報告する。
田辺 龍彦*; 倉田 有司; 武藤 功*; 辻 宏和; 平賀 啓二郎*; 新藤 雅美
Mater. Sci. Eng., A, 234-236, p.1087 - 1090, 1997/00
HTTR用ハステロイXRの溶接継手を対象に、1123-1273Kにおけるクリープ破断寿命とキャビテーション損傷の関係を検討した。溶接継手の破断寿命は1123-1173Kの低温側では母材とほぼ同じである。一方、前者の寿命は1123-1273Kの高温側では後者よりも短くなる。組織観察によれば、溶接金属のキャビテーションは低温側では母材より低く、それが母材部での破壊をもたらす。一方、前者のキャビテーションは高温側では後者より高くなり、溶接金属部での破壊をもたらす。高められたキャビテーションとその結果としての溶接継手の破断寿命の減少は、高温で溶接金属の再結晶が著しくなることに起因している。
吉川 正人; 根本 規生*; 伊藤 久義; 奥村 元*; 三沢 俊司*; 吉田 貞史*; 梨山 勇
Mater. Sci. Eng., B, 47(3), p.218 - 223, 1997/00
被引用回数：1 パーセンタイル：11.83(Materials Science, Multidisciplinary)3C-SiC MOS構造に
Co
線を照射したときに発生する界面準位量と固定電荷量の熱アニールによる減少挙動を高周波C-V法を用いて調べた。400
Cまでの等時アニールを行うと、界面準位量及び固定電荷量は減少した。界面準位の減少量については、3C-SiC/SiO
界面のエネルギー準位に依存して変化することがわかった。これらの減少挙動を化学反応速度式からみちびいた等時アニール式を用いて解析した所、界面準位量の減少は3種類の、固定電荷量は2種類の異なった活性化エネルギーの組合わせによって説明できることがわかった。Si MOS構造の照射によって発生する界面準位や固定電荷の熱アニールでは、このような複数の活性化エネルギーが認められないため、3C-SiC MOS構造の熱アニール挙動は、Si MOS構造のそれとは大きく異なっていると考えられる。
星屋 泰二; 高田 文樹; 市橋 芳徳; H.R.Pak*
Mater. Sci. Eng., A, 130, p.185 - 191, 1990/00
TiNi形状記憶合金の形状記憶特性を利用した原子力関連機器分野への応用開発が進められている。照射環境下におけるTiNi形状記憶合金の使用条件を見出すため、3種類のTiNi形状記憶合金を様々な中性子フルエンス条件下で照射して、照射後等温・等時焼鈍後の電気抵抗測定を実施した。523Kで焼鈍すると、照射材の電気抵抗温度依存性は、未照射材のそれと殆ど同じになる。この温度は極めて低いHomologous温度(T/T
;T融点)0.33に相当する。これら照射材から得られた結果を照射によって生成される損傷と照射後焼鈍によって起こる構造変化の観点から説明した。
ion bombardment in nitrogen atmosphere馬場 祐治; 佐々木 貞吉
Mater. Sci. Eng., A, 115, p.203 - 207, 1989/00
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Paの窒素ふん囲気下で各種金属にArイオン照射を行い、表面の生物及び反応機構をSIMSXPSにより解析した。金属チタンをターゲットとした場合、SIMSにおけるTiN/Ti比は、窒素導入とともに増大し、標準試料TiN
の約94%で飽和する。この経時変化曲線を解析することにより、Arイオン1個当り約20個のTiNが表面に生成することがわかった。また、XPSにより求めたN/Me比(Me金属)の飽和値は、金属窒化物の生成自由エネルギーが低いほど大きい。この事実から、表面の窒化反応は、照射によって励起された局所的高温領域における化学反応によって起こることが明らかとなった。
